تحقیق در مورد A 113 RAM

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 10 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

حافظه

هدف از به کار بردن حافظه این است که بتوان داده ها رابا حداکثر سرعت ممکن نوشت ، و یا خواند . حافظة کامپیوترهای جدید امروزی بین 128-16 مگابایت می باشد . این مقدار حافظه برای ذخیره سازی 16000-2000 صفحه از متنی که بین حروف آن یک فاصله وجود دارد ، کافی می باشد . از طرف دیگر شاید همین مقدار حافظه برای ذخیره سازی عکسی تمام رنگی کافی نباشد .

حافظه ها بیت ها را با روش شارژ الکتریکی ذخیره می کند . برای اینکه شارژ الکتریکی مزبور معتبر باقی بماند ، باید ولتاژ تغذیه آن به صورت مداوم برقرار باشد . بنابراین در صورت خاموش شدن کامپیوتر تمام داده های موجود در حافظه از دست خواهند رفت . به طور خلاصه می توان گفت که حافظه محلی برای ذخیره سازی سریع و موقت داده ها می باشد .

تراشه های حافظه و SIMM

شکل 1-3 نوعی تراشة حافظة معمولی را در اندازه های واقعی نشان می دهد . تراشة حافظه در واقع تکه ای از تراشة بسیار کوچک است ، که در حد ناخن انگشت و یا کوچکتر از آن است . اما از آنجا که لایة مزبور بسیار حساس بوده ، و در صورت قرار گرفتن در معرض هوا خراب می شوند ، با لایه ای از پلاستیک پوشیده شده است . فضای اضافی ناشی از نصب محفظه پلاستیکی موجب شده است ، که تراشة مزبور فضای بیشتری را اشغال کند .

تراشه های حافظه معمولاً در محلی از کامپیوتر قرار می گیرند ، که به آن « بانک حافظه » می گویند . در هر بانک حافظه 9-8 تراشه قرار دارد . در کامپیوترهای اولیه برای نصب حافظه های اضافی باید تک تک تراشه ها با احتیاط در سوکت های مادربرد ، یا کارت های گسترش حافظه قرار داد . اگر یکی از پایه های شکنندة آن خم می شد ، احتمال شکستن آن زیاد بوده ، و موجب می شد که تراشة مزبور غیر قابل استفاده شود .

شکل 1-3 : نمونه ای از تراشة حافظة کامپیوتر .

امروزه بیشتر کامپیوترهای شخصی طوری طراحی می شوند ، که بتوانند بردهای آمادة حاوی تراشه ها را قبول کنند . تراشه های مزبور به صورت دائمی بر روی برد مزبور لحیم شده اند . متداول ترین نوع آن S IMM (سرنام کلمه های Single Inline Memory Module ) می باشد ، که تصویر آن در شکل 2-3 نشان داده شده است . نصب و حذف SIMM بسیار آسان تر از تراشه های منفرد می باشد .

شکل 2-3 : مدول حافظة SIMM .

یک لبة کارت مزبور اتصال دهنده های فلزی دارد ، که بجای پایه های آن مورد استفاده قرار می گیرد . این لبه به آسانی در سوکت SIMM قرار گرفته ، و احتمال شکستن پایه ها را برطرف می کند . بنابراین نصب و حذف مدولهای SIMM بسیار آسان تر از تراشه های حافظه منفرد می باشد . به این ترتیب بیشتر کاربران کامپیوتر می توانند به آسانی آن را ارتقا دهند . شکل 3-3 روش ذخیره سازی حرف E ( به صورت کد اَسکی ) و در مدول حافظة SIMM را نشان می دهد .

شکل 3-3 : روش ذخیره سازی حرف E در کامپیوتر .

مقایسه دسترسی مستقیم و دسترسی ترتیبی

روش ذخیره سازی داده ها در حافظه به گونه ای است که به توان بدون نیاز به عبور از بخش های مختلف حافظه ، هر نقطه از آن را بطور مستقیم خواند ، و یا بروی آن نوشت به این روش « حافظة دستیابی مستقیم » می گویند . در نتیجه حافظه ای که به این ترتیب عمل کند ، نیز « حافظة دستیابی مستقیم » ، یا R AM ( سر نام کلمه های Random Access Memory ) خوانده می شود . اما مثلاً داده هایی که بر روی نوار ذخیره می شوند به صورت مستقیم قابل دسترسی نمی باشند . یعنی بدون گذشتن از قسمتهای ابتدایی نوار ، نمی توان به داده های موجود در وسط نوار دسترسی پیدا کرد . بنابراین نوار در واقع نوعی « دسترسی ترتیبی » به شمار می آید .

RAM دینامیک و RAM استاتیک

متداول ترین و ارزان ترین نوع ‌‌RAM ، در واقع نوعی « خازن » است ، که می تواند شارژ الکتریکی را در خود حفظ کرده ، و نشان دهندة یک بیت از داده ها باشد ( « خازن » در واقع وسیله ای است که برای ذخیره سازی الکتریسیته ساخته شده است ) . وجود شارژ الکتریکی نشان دهندة سطح منطقی 1 ، و فقدان آن نشان دهندة سطح منطقی 0 می باشد ( یا برعکس ، که البته به روش کار سازندة تراشه بستگی دارد ) . متأسفانه خازن فقط به مدت کوتاهی می تواند شارژ الکتریکی را در خود حفظ کند ، و باید به طور مرتب محتویاتش تجدید شوند . به همین دلیل RAM مبتنی بر این روش را « RAM دینامیک » ، یا “ DRAM ” می گویند .

نمونة سریع تر و بسیار گران قیمت تری از R AM نیز وجود دارد ، که در آن از کلیدهای بسیار کوچک استفاده شده است . این کلیدها « فیلیپ فلاپ » نام داشته ، ومی توانند محتویات یک بیت را در خود نگهداری کنند . فیلیپ فللاپ ها قطعه های پایدار بوده ، و تا زمانی که جریان الکتریکی جدیدی به آنها اعمال نشده باشد ، وضعیت خود را حفظ می کنند . بنابراین « تجدید محتویات » در مورد این نوع حافظه لازم نیست . RAM مبتنی بر این روش را « R AM استاتیک » یا SRAM می نامند . متأسفانه SRAM بسیار گران تر از آن است که بتواند به عنوان حافظه اصلی در کامپیوتر مورد استفاده قرار بگیرد . اما سرعت بالای آن ( که

تحقیق در مورد A 113 RAM

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 10 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

حافظه

هدف از به کار بردن حافظه این است که بتوان داده ها رابا حداکثر سرعت ممکن نوشت ، و یا خواند . حافظة کامپیوترهای جدید امروزی بین 128-16 مگابایت می باشد . این مقدار حافظه برای ذخیره سازی 16000-2000 صفحه از متنی که بین حروف آن یک فاصله وجود دارد ، کافی می باشد . از طرف دیگر شاید همین مقدار حافظه برای ذخیره سازی عکسی تمام رنگی کافی نباشد .

حافظه ها بیت ها را با روش شارژ الکتریکی ذخیره می کند . برای اینکه شارژ الکتریکی مزبور معتبر باقی بماند ، باید ولتاژ تغذیه آن به صورت مداوم برقرار باشد . بنابراین در صورت خاموش شدن کامپیوتر تمام داده های موجود در حافظه از دست خواهند رفت . به طور خلاصه می توان گفت که حافظه محلی برای ذخیره سازی سریع و موقت داده ها می باشد .

تراشه های حافظه و SIMM

شکل 1-3 نوعی تراشة حافظة معمولی را در اندازه های واقعی نشان می دهد . تراشة حافظه در واقع تکه ای از تراشة بسیار کوچک است ، که در حد ناخن انگشت و یا کوچکتر از آن است . اما از آنجا که لایة مزبور بسیار حساس بوده ، و در صورت قرار گرفتن در معرض هوا خراب می شوند ، با لایه ای از پلاستیک پوشیده شده است . فضای اضافی ناشی از نصب محفظه پلاستیکی موجب شده است ، که تراشة مزبور فضای بیشتری را اشغال کند .

تراشه های حافظه معمولاً در محلی از کامپیوتر قرار می گیرند ، که به آن « بانک حافظه » می گویند . در هر بانک حافظه 9-8 تراشه قرار دارد . در کامپیوترهای اولیه برای نصب حافظه های اضافی باید تک تک تراشه ها با احتیاط در سوکت های مادربرد ، یا کارت های گسترش حافظه قرار داد . اگر یکی از پایه های شکنندة آن خم می شد ، احتمال شکستن آن زیاد بوده ، و موجب می شد که تراشة مزبور غیر قابل استفاده شود .

شکل 1-3 : نمونه ای از تراشة حافظة کامپیوتر .

امروزه بیشتر کامپیوترهای شخصی طوری طراحی می شوند ، که بتوانند بردهای آمادة حاوی تراشه ها را قبول کنند . تراشه های مزبور به صورت دائمی بر روی برد مزبور لحیم شده اند . متداول ترین نوع آن S IMM (سرنام کلمه های Single Inline Memory Module ) می باشد ، که تصویر آن در شکل 2-3 نشان داده شده است . نصب و حذف SIMM بسیار آسان تر از تراشه های منفرد می باشد .

شکل 2-3 : مدول حافظة SIMM .

یک لبة کارت مزبور اتصال دهنده های فلزی دارد ، که بجای پایه های آن مورد استفاده قرار می گیرد . این لبه به آسانی در سوکت SIMM قرار گرفته ، و احتمال شکستن پایه ها را برطرف می کند . بنابراین نصب و حذف مدولهای SIMM بسیار آسان تر از تراشه های حافظه منفرد می باشد . به این ترتیب بیشتر کاربران کامپیوتر می توانند به آسانی آن را ارتقا دهند . شکل 3-3 روش ذخیره سازی حرف E ( به صورت کد اَسکی ) و در مدول حافظة SIMM را نشان می دهد .

شکل 3-3 : روش ذخیره سازی حرف E در کامپیوتر .

مقایسه دسترسی مستقیم و دسترسی ترتیبی

روش ذخیره سازی داده ها در حافظه به گونه ای است که به توان بدون نیاز به عبور از بخش های مختلف حافظه ، هر نقطه از آن را بطور مستقیم خواند ، و یا بروی آن نوشت به این روش « حافظة دستیابی مستقیم » می گویند . در نتیجه حافظه ای که به این ترتیب عمل کند ، نیز « حافظة دستیابی مستقیم » ، یا R AM ( سر نام کلمه های Random Access Memory ) خوانده می شود . اما مثلاً داده هایی که بر روی نوار ذخیره می شوند به صورت مستقیم قابل دسترسی نمی باشند . یعنی بدون گذشتن از قسمتهای ابتدایی نوار ، نمی توان به داده های موجود در وسط نوار دسترسی پیدا کرد . بنابراین نوار در واقع نوعی « دسترسی ترتیبی » به شمار می آید .

RAM دینامیک و RAM استاتیک

متداول ترین و ارزان ترین نوع ‌‌RAM ، در واقع نوعی « خازن » است ، که می تواند شارژ الکتریکی را در خود حفظ کرده ، و نشان دهندة یک بیت از داده ها باشد ( « خازن » در واقع وسیله ای است که برای ذخیره سازی الکتریسیته ساخته شده است ) . وجود شارژ الکتریکی نشان دهندة سطح منطقی 1 ، و فقدان آن نشان دهندة سطح منطقی 0 می باشد ( یا برعکس ، که البته به روش کار سازندة تراشه بستگی دارد ) . متأسفانه خازن فقط به مدت کوتاهی می تواند شارژ الکتریکی را در خود حفظ کند ، و باید به طور مرتب محتویاتش تجدید شوند . به همین دلیل RAM مبتنی بر این روش را « RAM دینامیک » ، یا “ DRAM ” می گویند .

نمونة سریع تر و بسیار گران قیمت تری از R AM نیز وجود دارد ، که در آن از کلیدهای بسیار کوچک استفاده شده است . این کلیدها « فیلیپ فلاپ » نام داشته ، ومی توانند محتویات یک بیت را در خود نگهداری کنند . فیلیپ فللاپ ها قطعه های پایدار بوده ، و تا زمانی که جریان الکتریکی جدیدی به آنها اعمال نشده باشد ، وضعیت خود را حفظ می کنند . بنابراین « تجدید محتویات » در مورد این نوع حافظه لازم نیست . RAM مبتنی بر این روش را « R AM استاتیک » یا SRAM می نامند . متأسفانه SRAM بسیار گران تر از آن است که بتواند به عنوان حافظه اصلی در کامپیوتر مورد استفاده قرار بگیرد . اما سرعت بالای آن ( که

تحقیق درباره آشنایی با حافظه RAM با فرمت ورد

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 21

آشنایی با حافظه RAM

 حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای  کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های  SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ). اما داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه های RAM

حافظه  RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول  را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک  یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را به منظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن  یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید. خازن مشابه یک ظرف ( سطل)  بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . به منظور ذخیره سازی مقدار" یک"  در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین به منظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات  خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده  یا " کنترل کننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن به منظور نگهداری مقدار "یک" باشند. بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه  بر روی یک تراشه  سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضعیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد.  تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.

آشنایی با حافظه RAM

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 21

آشنایی با حافظه RAM

 حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای  کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های  SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ). اما داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه های RAM

حافظه  RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول  را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک  یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را به منظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن  یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید. خازن مشابه یک ظرف ( سطل)  بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . به منظور ذخیره سازی مقدار" یک"  در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین به منظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات  خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده  یا " کنترل کننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن به منظور نگهداری مقدار "یک" باشند. بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه  بر روی یک تراشه  سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضعیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد.  تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.

تحقیق درمورد آشنایی با حافظه RAM با فرمت ورد

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 21

آشنایی با حافظه RAM

 حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای  کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های  SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ). اما داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه های RAM

حافظه  RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول  را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک  یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را به منظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن  یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید. خازن مشابه یک ظرف ( سطل)  بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . به منظور ذخیره سازی مقدار" یک"  در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین به منظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات  خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده  یا " کنترل کننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن به منظور نگهداری مقدار "یک" باشند. بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه  بر روی یک تراشه  سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضعیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد.  تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.