فرمت : WORD تعداد صفحه :32
گرم کردن آب با برق
1
آبگرمکنهای برقی نوع فشاری
2
آبگرمکنهای برقی نوع مخزنی
3
آبگرمکنهای برقی نوع باز- خروجی
4
آبگرمکنهای گازی
5
آبگرمکنهای ذخیره ای
7
آبگرمکنهای گردشی
7
سیستمها
8
آسایش حرارتی منتشر کننده های گرمایی آب گرم و بخار
9
منتشر کننده های آب گرم و بخار
11
رادیاتورها
11
پانلهای تابشی
13
بخاری همرفتی با جریان طبیعی
14
بخاری همرفتی بادبزنی
15
بخاریهای سطحی واحدی
15
نمونه تهویه کننده اطاقی (کولر گازی)
17
واحد تولید حرارت و برودت با گرمکن الکتریکی
19
واحد تولید حرارت و برودت با پمپ حرارتی
20
چیلر جذبی
23
هواشوی (ایرواشر)
24
کندانسور هوایی (هوا- خنک)
25
کندانسور تبخیری
26
کندانسور آبی (آب – خنک)
26
گرم کردن آب با برق
در حال حاضر هزینۀ گرم کردن آب با برق گرانتر از هزینۀ گرمایی سوختهای دیگر تمام می شود و در زمان استقرار آبگرمکنهای برقی باید به مسئله حفظ گرما توجه کرد . در این رابطه باید نکات زیر را مورد توجه قرارداد:
1- منبع ذخیرۀ آب گرم را باید به ضخامت حداقل mm 50 – ترجیحاً mm 75- با یک ماده عایق خوب به طور کامل عایق بندی کرد.
2- آب گرم نباید در لوله هایا رادیاتورهای حوله خشک کن گردش داشته باشد.
3- طول لوله های نقاط تخلیه به ویژه در سینکهای ظرفشویی باید به حداقل کاهش یابد.
4- از گردش آب تک لوله ای در لوله های آب گرم یا لوله های هواکش باید جلوگیری کرد.
5- با عدم عایق بندی بخشی از منبع آب گرم نباید امکان گرم شدن گنجه های لباس خشک کن را فراهم ساخت.
6- یک ترموستات موثر باید کنترل دمای آب را در دمای حداکثر oc 60 برای آب سخت موقت و حداکثر oc 71 برای آب سبک بر عهده داشته باشد دمای پایین تر آب سخت موقت به نحو چشمگیریی از میزان رسوب آهک می کاهد.
آبگرمکنهای برقی نوع فشاری :
این آبگرمکنها همواره باید از طریق مخزن ذخیره آب سرد تغذیه شوند. ظرفیت آبگرمکنهای نوع فشاری از 50 تا 450 لیتر متفاوت است. یکی از مفیدترین این آبگرمکنها ، آبگرمکن زیرسینکی نام دارد که این آبگرمکن به دو المنت گرمایی مجهز است، یکی از المنتها در نزدیکی سطح فوقانی قرار دارد که حدود 23 لیتر آب گرم را برای مصرف عمومی حفظ می کند . المنت تحتانی زمانی گرم می شود که به مقادیر بیشتری آب گرم جهت وانها یا رختشویی احتیاج باشد . این آبگرمکن از توانایی کافی جهت تامین آب گرم یک خانه کوچک برخوردار است.
برای استفاده از این آبگرمکن در بلوکهای ساختمانی باید در هر طبقه یک مخزن ذخیره آب سرد مستقر کرد و لوله کشی را همانند لوله کشی یک خانه انجام داد. برای صرفه جویی در هزینه مخازن جداگانه ذخیره آب سرد، آبگرمکنها را می توان از طریق یک مخزن در سطح بام تغذیه کرد انضعاب نغذیه آب سرد هر ابگرمکن باید از سطح بالاتری نسبت به قسمتهای فوقانی آبگرمکن گرفته شود، زیرا این امر از کشیده شدن آب آبگرمکن بالاتر به داخل آبگرمکنهای پایین تر جلوگیری می کند وجود یک لوله هواکش بر روی لوله تغذیه آب سرد نیز از مکیده شدن آب گرم از آبگرمکن فوقانی به آبگرمکنهای تحتانی در زمان بسته بودن شیر قطع جریان جلوگیری می کند.
آبگرمکنهای برقی نوع مخزنی :
این آبگرمکنها با ظرفیت آب گرم 23 تا 136 لیتر تولید می شوند. ابگرمکنها را می توان به طور مستقیم از لوله اصلی آب سرد یا از یک مخزن ذخیره تغذیه کرد. با باز کردن یکی از شیرهای آب گرم جای خود را به آب سرد مخزن می دهد و چون ارتفاع آب کم است میزان جریان نیز محدود خواهد بود.
در شکل 14-2 استقرار یک آبگرمکن برقی نوع مخزنی برای یم خانه نشان داده شده است . چون مخزن آب سرد کوچک است ، آب سرد شیرها به طور مستقیم از لوله اصلی تامین می گردد.
شکل 15-2 استقرار آبگرمکن برقی نوع مخزنی را در یک بلوک ساختمانی نشان می دهد که در آن سازمان آب تامین آب سرد وانها ، دستشویی ها و توالتها را به طور مستقیم از لوله اصلی مجاز نمی داند در این حالت مخزن ذخیره آب سرد کار تغذیه لوازم بهداشتی و ابگرمکن نوع مخزنی را نمی داند در این حالت مخزن ذخیره آب سرد کار تغذیه لوازم بهداشتی و آبگرمکن نوع مخزنی را انجام می دهد . لوله هواکش روی لوله تغذیه آب سرد به همان منظوری مورد استفاده قرار می گیرد که در مورد استقرار آبگرمکن برقی فشاری توضیح داده شد.
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 26
عنوان مقاله : ترانزیستور
چکیده مقاله :
علم الکترونیک با اختراع ترانزیستور وارد فاز جدیدی از تحقیق و اختراع شد .هر روز اخباری را مبنی بر اختراعات جدید در زمینه الکترونیک می شنویم که مطمئنا در کالبد شکافی این اختراعات به نقش پر اهمیت ترانزیستور پی خواهیم برد
متن کامل مقاله :
علم الکترونیک با اختراع ترانزیستور وارد فاز جدیدی از تحقیق و اختراع شد .هر روز اخباری را مبنی بر اختراعات جدید در زمینه الکترونیک می شنویم که مطمئنا در کالبد شکافی این اختراعات به نقش پر اهمیت ترانزیستور پی خواهیم برد .
ترانزیستور یک قطعه سه پایه است که ساختار فیزیکی آن بر اساس عملکرد نیمه هادی ها می باشد.ترانزیستور را از دو نوع نیمه هادی با نام سلسیوم و ژرمانیوم می سازند.عموما در یک تقسیم بندی ترانزیستور ها را به دو دسته ترانزیستور های BJT و FET تقسیم می کنند . ترانزیستور های BJT با نام ترانزیستور های پیوند دو قطبی و ترانزیستور های FET با نام ترانزیستور های اثر میدان شناخته شدهاند.FETها دارای سرعت سوئیچینگ کمتر از BJT هستند .
معمولا ترانزیستور را با دو دیود مدل سازی می کنند از این مدل برای تشخیص سالم بودن ترانزیستور استفاده می کنند.عملکرد ترانزیستور هابه عنوان یک طبقه در مدار بستگی به نظر طراح دارد اما در صورتی که ترانزیستور را یک جعبه سیاه در نظر بگیریم که دارای دو ورودی و دو خروجی است با توجه به اینکه ترانزیستور دارای سه پایه است باید یکی از پایه ها را به عنوان پایه مشترک بین ورودی و خروجی در نظر بگیریم. این پایه مشترک اساس آرایش های مختلف ترانزیستور است .یکی از پایه های ترانزیستور با نام Base و پایه دیگر با نام امیتر (تزریق کننده) و پایه آخر با نام کالکتور (جمع کننده ) شناخته شده است . بسته به اینکه کدامیک از پایه های مذکور به عنوان پایه مشترک در نظر گرفته شود آرایش های بیس مشترکCommon Base – کالکتور مشترکCommon Collector- امیتر مشترک Common Emitter – ممکن خواهد بود.
هر کدام از این آرایش ها دارای یک خصوصیت خواهند بود که متفاوت با دیگر آرایش ها است مثلا امیتر مشترک دارای بهره توان بسیار زیاد است و یا بهره ولتاژ بیس مشترک زیاد است و...
ترانزیستور در هر مداری می تواند متفاوت از قبل ظاهر شود- منبع ولتاژ یا منبع جریان و یا تقویت کننده ولتاژ و ....- این تفاوت را المانهای همراه ترانزیستور که اکثرا مقاومت و خازن(دیود و...) هستند تعیین می کنند نحوه قرار گیری این المانها به همراه ترانزیستور و منبع تغذیه را بایاس ترانزیستور گویند.در مدار های بایاس برای ترانزیستور یک ولتاژ مثبت به همراه زمین یا یک ولتاژ مثبت به همراه ولتاژ منفی را برای ترانزیستور بسته به کاربرد در نظر می گیرند .
عملکرد ترانزیستور ها(BJT) در سه ناحیه تعریف می شود . 1-ناحیه قطع 2- ناحیه فعال 3- ناحیه اشباع
این سه ناحیه بر اساس بایاس پایه های ترانزیستور و ولتاژ آن ها تعریف می شود .
ترانزیستور در مدارات عمدتا به صورت زیر ظاهر می شود :
1- به عنوان کلید به منظور قطع و وصل قسمتی از مدار
از ترانزیستور در ناحیه قطع و اشباع به عنوان کلید دیجیتال و سوئیچ استفاده می کنند .ولتاژ VCE در حالت اشباع کمتر از 0.2 است . در حالت اشباع توان تلف شده ترانزیستور بسیار کم است زیرا توان تلف شده ترانزیستور از حاصلضرب ولتاژ VCE و IC بدست می آید که هردو مقدار کوچکی هستند.
2- به عنوان تقویت کننده ولتاژ
3- به عنوان تقویت کننده جریان
4- به عنوان منبع جریان ثابت
5- به عنوان منبع ولتاژ ثابت
و...
در 4 مورد بعدی بالا از ترانزیستور در ناحیه فعال که همان ناحیه خطی عملکرد ترانزیستور است استفاده می شود .
آرایش های مداری مشهور :
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 26
عنوان مقاله : ترانزیستور
چکیده مقاله :
علم الکترونیک با اختراع ترانزیستور وارد فاز جدیدی از تحقیق و اختراع شد .هر روز اخباری را مبنی بر اختراعات جدید در زمینه الکترونیک می شنویم که مطمئنا در کالبد شکافی این اختراعات به نقش پر اهمیت ترانزیستور پی خواهیم برد
متن کامل مقاله :
علم الکترونیک با اختراع ترانزیستور وارد فاز جدیدی از تحقیق و اختراع شد .هر روز اخباری را مبنی بر اختراعات جدید در زمینه الکترونیک می شنویم که مطمئنا در کالبد شکافی این اختراعات به نقش پر اهمیت ترانزیستور پی خواهیم برد .
ترانزیستور یک قطعه سه پایه است که ساختار فیزیکی آن بر اساس عملکرد نیمه هادی ها می باشد.ترانزیستور را از دو نوع نیمه هادی با نام سلسیوم و ژرمانیوم می سازند.عموما در یک تقسیم بندی ترانزیستور ها را به دو دسته ترانزیستور های BJT و FET تقسیم می کنند . ترانزیستور های BJT با نام ترانزیستور های پیوند دو قطبی و ترانزیستور های FET با نام ترانزیستور های اثر میدان شناخته شدهاند.FETها دارای سرعت سوئیچینگ کمتر از BJT هستند .
معمولا ترانزیستور را با دو دیود مدل سازی می کنند از این مدل برای تشخیص سالم بودن ترانزیستور استفاده می کنند.عملکرد ترانزیستور هابه عنوان یک طبقه در مدار بستگی به نظر طراح دارد اما در صورتی که ترانزیستور را یک جعبه سیاه در نظر بگیریم که دارای دو ورودی و دو خروجی است با توجه به اینکه ترانزیستور دارای سه پایه است باید یکی از پایه ها را به عنوان پایه مشترک بین ورودی و خروجی در نظر بگیریم. این پایه مشترک اساس آرایش های مختلف ترانزیستور است .یکی از پایه های ترانزیستور با نام Base و پایه دیگر با نام امیتر (تزریق کننده) و پایه آخر با نام کالکتور (جمع کننده ) شناخته شده است . بسته به اینکه کدامیک از پایه های مذکور به عنوان پایه مشترک در نظر گرفته شود آرایش های بیس مشترکCommon Base – کالکتور مشترکCommon Collector- امیتر مشترک Common Emitter – ممکن خواهد بود.
هر کدام از این آرایش ها دارای یک خصوصیت خواهند بود که متفاوت با دیگر آرایش ها است مثلا امیتر مشترک دارای بهره توان بسیار زیاد است و یا بهره ولتاژ بیس مشترک زیاد است و...
ترانزیستور در هر مداری می تواند متفاوت از قبل ظاهر شود- منبع ولتاژ یا منبع جریان و یا تقویت کننده ولتاژ و ....- این تفاوت را المانهای همراه ترانزیستور که اکثرا مقاومت و خازن(دیود و...) هستند تعیین می کنند نحوه قرار گیری این المانها به همراه ترانزیستور و منبع تغذیه را بایاس ترانزیستور گویند.در مدار های بایاس برای ترانزیستور یک ولتاژ مثبت به همراه زمین یا یک ولتاژ مثبت به همراه ولتاژ منفی را برای ترانزیستور بسته به کاربرد در نظر می گیرند .
عملکرد ترانزیستور ها(BJT) در سه ناحیه تعریف می شود . 1-ناحیه قطع 2- ناحیه فعال 3- ناحیه اشباع
این سه ناحیه بر اساس بایاس پایه های ترانزیستور و ولتاژ آن ها تعریف می شود .
ترانزیستور در مدارات عمدتا به صورت زیر ظاهر می شود :
1- به عنوان کلید به منظور قطع و وصل قسمتی از مدار
از ترانزیستور در ناحیه قطع و اشباع به عنوان کلید دیجیتال و سوئیچ استفاده می کنند .ولتاژ VCE در حالت اشباع کمتر از 0.2 است . در حالت اشباع توان تلف شده ترانزیستور بسیار کم است زیرا توان تلف شده ترانزیستور از حاصلضرب ولتاژ VCE و IC بدست می آید که هردو مقدار کوچکی هستند.
2- به عنوان تقویت کننده ولتاژ
3- به عنوان تقویت کننده جریان
4- به عنوان منبع جریان ثابت
5- به عنوان منبع ولتاژ ثابت
و...
در 4 مورد بعدی بالا از ترانزیستور در ناحیه فعال که همان ناحیه خطی عملکرد ترانزیستور است استفاده می شود .
آرایش های مداری مشهور :
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 26
عنوان مقاله : ترانزیستور
چکیده مقاله :
علم الکترونیک با اختراع ترانزیستور وارد فاز جدیدی از تحقیق و اختراع شد .هر روز اخباری را مبنی بر اختراعات جدید در زمینه الکترونیک می شنویم که مطمئنا در کالبد شکافی این اختراعات به نقش پر اهمیت ترانزیستور پی خواهیم برد
متن کامل مقاله :
علم الکترونیک با اختراع ترانزیستور وارد فاز جدیدی از تحقیق و اختراع شد .هر روز اخباری را مبنی بر اختراعات جدید در زمینه الکترونیک می شنویم که مطمئنا در کالبد شکافی این اختراعات به نقش پر اهمیت ترانزیستور پی خواهیم برد .
ترانزیستور یک قطعه سه پایه است که ساختار فیزیکی آن بر اساس عملکرد نیمه هادی ها می باشد.ترانزیستور را از دو نوع نیمه هادی با نام سلسیوم و ژرمانیوم می سازند.عموما در یک تقسیم بندی ترانزیستور ها را به دو دسته ترانزیستور های BJT و FET تقسیم می کنند . ترانزیستور های BJT با نام ترانزیستور های پیوند دو قطبی و ترانزیستور های FET با نام ترانزیستور های اثر میدان شناخته شدهاند.FETها دارای سرعت سوئیچینگ کمتر از BJT هستند .
معمولا ترانزیستور را با دو دیود مدل سازی می کنند از این مدل برای تشخیص سالم بودن ترانزیستور استفاده می کنند.عملکرد ترانزیستور هابه عنوان یک طبقه در مدار بستگی به نظر طراح دارد اما در صورتی که ترانزیستور را یک جعبه سیاه در نظر بگیریم که دارای دو ورودی و دو خروجی است با توجه به اینکه ترانزیستور دارای سه پایه است باید یکی از پایه ها را به عنوان پایه مشترک بین ورودی و خروجی در نظر بگیریم. این پایه مشترک اساس آرایش های مختلف ترانزیستور است .یکی از پایه های ترانزیستور با نام Base و پایه دیگر با نام امیتر (تزریق کننده) و پایه آخر با نام کالکتور (جمع کننده ) شناخته شده است . بسته به اینکه کدامیک از پایه های مذکور به عنوان پایه مشترک در نظر گرفته شود آرایش های بیس مشترکCommon Base – کالکتور مشترکCommon Collector- امیتر مشترک Common Emitter – ممکن خواهد بود.
هر کدام از این آرایش ها دارای یک خصوصیت خواهند بود که متفاوت با دیگر آرایش ها است مثلا امیتر مشترک دارای بهره توان بسیار زیاد است و یا بهره ولتاژ بیس مشترک زیاد است و...
ترانزیستور در هر مداری می تواند متفاوت از قبل ظاهر شود- منبع ولتاژ یا منبع جریان و یا تقویت کننده ولتاژ و ....- این تفاوت را المانهای همراه ترانزیستور که اکثرا مقاومت و خازن(دیود و...) هستند تعیین می کنند نحوه قرار گیری این المانها به همراه ترانزیستور و منبع تغذیه را بایاس ترانزیستور گویند.در مدار های بایاس برای ترانزیستور یک ولتاژ مثبت به همراه زمین یا یک ولتاژ مثبت به همراه ولتاژ منفی را برای ترانزیستور بسته به کاربرد در نظر می گیرند .
عملکرد ترانزیستور ها(BJT) در سه ناحیه تعریف می شود . 1-ناحیه قطع 2- ناحیه فعال 3- ناحیه اشباع
این سه ناحیه بر اساس بایاس پایه های ترانزیستور و ولتاژ آن ها تعریف می شود .
ترانزیستور در مدارات عمدتا به صورت زیر ظاهر می شود :
1- به عنوان کلید به منظور قطع و وصل قسمتی از مدار
از ترانزیستور در ناحیه قطع و اشباع به عنوان کلید دیجیتال و سوئیچ استفاده می کنند .ولتاژ VCE در حالت اشباع کمتر از 0.2 است . در حالت اشباع توان تلف شده ترانزیستور بسیار کم است زیرا توان تلف شده ترانزیستور از حاصلضرب ولتاژ VCE و IC بدست می آید که هردو مقدار کوچکی هستند.
2- به عنوان تقویت کننده ولتاژ
3- به عنوان تقویت کننده جریان
4- به عنوان منبع جریان ثابت
5- به عنوان منبع ولتاژ ثابت
و...
در 4 مورد بعدی بالا از ترانزیستور در ناحیه فعال که همان ناحیه خطی عملکرد ترانزیستور است استفاده می شود .
آرایش های مداری مشهور :
فرمت : WORD تعداد صفحه :33
یک ضرب المثل فارسی می گوید : از هر چه بترسیم ، برای مان اتفاق می افتد (( یا از هر چه بترسیم ، به سرمان می آید . )) چه مکانیزمی صورت می گیرد که وقتی از چیزی بدمان می آید ، برایمان اتفاق می افتد ؟ یا بر عکس چه مکانیزمی وجود دارد وقتی انتظار حوادث خوب ، خوشایند و اخبار شادی را داشته باشیم ، همان برایمان پیش می آید ؟
انسان ، به تجربه دریافته وقتی اندیشه های مثبت یا منفی در ذهن تکرار شوند ، دیر یا زود آنها را به چشم خواهید دید . به عبارت دیگر ، مسایل ابتدا ذهنی بوده و بر اثر تکرار بصورت عینی در می آیند .
افراد از طریق صحبت و کلمه ها با یکدیگر ارتباط بر قرار می کنند ، کلمه ها در ذهن تبدیل به تصاویر می شوند ، چون زبان ذهن ، تصاویر هستند نه کلمه ها . وقتی از چیزی خوشمان یا بدمان می آید ، نا خواسته و نا خود آگاه به تجسم و تصویر سازی آنها در ذهن می پردازیم . هر قدر تجسم و تصویر سازی ذهنی نسبت به مواردی بارها صورت گیرد ، احتمال وقوع آن بیشتر و سریعتر می شود . همین طور اگر تجسم و تصویر سازی ذهنی در مورد سلامتی ، شادابی و موفقیت باشد ، با تکرار تجسم ذهنی ، احتمال وقوع آن را بیشتر می کنیم .
به منظور روشن شدن موضوع به بازگو کردن یک مثال می پردازیم :
دو نفر محصل داوطلب کنکور که از نظر استعداد ، ضریب هوشی ، ساعت مطالعه ، شرکت در کلاس های کنکور، شرایط خانوادگی و در بسیاری موارد دیگر مشابه هم هستند ، به نام های (( افشین )) و (( بابک )) به شما معرفی می شوند .
(( بابک )) امیدوار است که به طور حتم در کنکور و در رشته ی دلخواه ، قبول خواهد شد .
(( افشین )) فکر می کند با این همه داوطلب کنکور ، احتمال قبولی در رشته ی دلخواهش بسیار کم است .
درجلسه ی امتحان چه اتفاقی می اقتد ؟
می دانیم که زمان سئوال ها برای داوطلبان کنکور (( بر حسب رشته ها )) یکی است . (( بابک )) با امیدواری و این که به طور حتم در رشته ی دلخواهش قبول خواهد شد ، وارد جلسه ی امتحان شده و شروع به پاسخ داده به پرسشها می کند. به کمک ضمیر ناخودآگاهش هرآنچه خوانده و حفظ کرده را با سرعت و بطور صحیح به ورقه ی امتحان منتقل می کند .
(( افشین )) با نا امیدی وارد جلسه ی کنکور شده و با افکار منفی و ترس ، شروع می کند به جواب دادن پرسشها . در اینجا ضمیر ناخودآگاه او به کمکش می شتابد و (( افشین )) را در قبول نشدن در رشته ی دلخواهش کمک می کند ، در نتیجه پاسخ سئوالهای امتحان ، یا فراموش می شوند و یا به غلط به ورقه ی امتحان منتقل می شوند .
هر دو داوطلب به نتیجه ی دلخواه شان می رسند :
(( بابک )) در رشته ی دلخواهش قبول شده و آنچه را می خواست و تجسم و تصویر ذهنی اش بود ، آن را به دست می آورد (( افشین )) در رشته ی دلخواهش قبول نمی شود و آنچه را که تجسم و تصویر ذهنی اش بود و از آن می ترسید ، به سرش می آید .
بلی همیشه انتخاب با شماست ، می توانید موفق باشید یا نیاشید ، انتخاب با خودتان است . (( هنر فورد )) می گوید : (( هر گونه که در مورد بدین معنی که ، اگر فکر کنید از عهده ی انجام فلان کار بر می آیید ، از عهده ی انجام آن بر خواهید آمد . اگر فکر کنید که از عهده ی انجام فلان کار بر نمی آیید ، از عهده ی انجام آن بر نخواهید آمد ، در واقع وقتی می گویید : (( من از عهده ی فلان کار بر می آیم )) ، پیام مثبت به ضمیر ناخودآگاه می دهید ، ضمیر ناخودآگاه تان به طور معجزه آسا در انجام کار مورد نظر به شما کمک می کند تا انجام آن کار محقق شود . در حالی که وقتی می گویید نمی توانم فلان کار را انجام دهم . ضمیر ناخودآگاه در انجام ندادن آن به شما کمک می کند .
افراد موفق ، تصویر ذهنی مثبت و سازنده ، قوی و عالی از خود دارند . افراد نا موفق ، تصویر ذهنی منفی و ضعیف بر خورد حاکم می کنند . بنا براین وقتی اندیشه های مثبت در سر بپرورانیم ، نتیجه ی مثبت و موفقیت نصیب مان می شود . به عبارت ساده ، موفقیت زمانی به سراغ ما می آید که خود به دنبال آن باشیم . همان طور که در مورد (( بابک )) اتفاق افتاد در حالی که اگر افکارمان منفی باشد ، به طور حتم با عدم موفقیت رو به رو خواهیم شد و به عبارت دیگر گرفتاری و عدم موفقیت به سراغ افرادی می رود که خود به دنبال آن باشند ، همان طور که در مورد (( افشین )) ، شاهد آن بودیم .
آیا می توان آگاهانه و به صورت عمدی تصویر ذهنی مثبت و عالی برای خود به وجود آورد و خود را در مسیر سلامتی ، شادابی ، موفقیت و اهداف خود قرار داد ؟ به عبارت دیگر آیا می توانیم آگاهانه برنامه ی ذهنی خود را دستکاری کرده و صورتی در آوریم که سریع تر ما را به اهداف مان برساند ! به عنوان مثال کمک کند سیگارمان را حتی ترک کنیم ؟
بلی ! برای رسیدن به موفقیت ها ، باید اهداف شفاف و روشنی برای خود انتخاب کرد ، آگاهانه ، با شجاعت ، شهامت و قدرت به تصویر سازی ذهنی و تجسم اندیشه های مثبت سازنده پرداخت و افکار و اندیشه های منفی و مخرب را از ذهن خود دور ساخت تا به موفقیت های لازم دست یافت . شگفت انگیز است که بدانیم هر طوری که بیندیشیم ، مغزمان هم در همان مسیر رشد می کند . چون ضمیر نا خودآگاه نمی تواند تفاوتی بین یک تصویر ذهنی را با یک تجربه ی واقعی تشخیص دهد و هر دو به صورت یکسان بر روی آن تأثیر می گذارند ، بنابر این اگر تصاویر ذهنی دلخواه و اهداف خود را آگاهانه با کلیه ی جزئیات مربوط تجسم کنیم و به تکرار آنها بپردازیم ، پس از مدتی آن تصویر ذهنی و اهداف شفاف و مشخص خود را بصورت عینی به چشم خواهیم دید .
برای این تجسم ها و تصویرهای ذهنی ، سریعتر نتیجه بدهند ، شایسته است بین فعالیت های ذهنی و فیزیکی ارتباط برقرار کرده و با هم تکرار آنها بپردازیم .
بیچاره ترین و بدبخت ترین افراد ، کسانی هستند که مدام افکار منفی و مخرب و مزاحم را در سر می پرورانند ، افکاری که همانند خوره به جان شان می افتد و مانع شادابی و سلامتی آنها می گردند .