تحقیق: رجیستری حافظه های الکترونیکی Flash memory و RAID چیست لپ تاپ های کوچولو

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 44

رجیستری

حافظه های الکترونیکی Flash memory

RAID چیست

لپ تاپ های کوچولو

حافظه های الکترونیکی Flash memory

حافظه ها ی الکترونیکی با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحی و عرضه شده اند. حافظه فلش ، یک نمونه از حافظه های الکترونیکی بوده که برای ذخیره سازی آسان و سریع اطلاعات در دستگاههائی نظیر : دوربین های دیجیتال ، کنسول بازیهای کامپیوتری و ... استفاده می گردد. حافظه فلش اغلب مشابه یک هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .

در تجهیزات زیر از حافظه فلش استفاده می گردد :

•تراشه BIOS موجود در کامپیوتر

•CompactFlash که در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد . •SmartMedia که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد •Memory Stick که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .

•کارت های حافظه PCMCIA نوع I و II

•کارت های حافظه برای کنسول های بازیهای ویدئویی

مبانی حافظه فلش

حافظه فلاش یک نوع خاص از تراشه های EEPROM است . حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و یا ستون از دو ترانزیستور استفاده می گردد. دو ترانزیستور فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها Floating gate و دیگری Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانیکه لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار یک ذخیره خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار یک به صفر از فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسید .در نهایت شارژ فوق تخلیه می گردد( زمین ) .شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک پخش کننده الکترون رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد

مواد غذایی مؤثر بر حافظه

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 2

مواد غذایی مؤثر بر حافظه

گیاهان و میوه ها (قسمت اول)

1. آلو (Plum) :

 انواع آن به فارسی «گوجه برغانی»، «آلو سیاه»، «قطره طلا»، «آلو بخارا» و در کتب سنتی نامهای عربی آن، از جمله : «اجاص» و «برقون» آمده است. آلو از نظر طبیعت، سرد و برگ آن سرد و خشک است. 1

 آلوی تازه، میوه خوبی برای بدن می باشد. آلو حافظ مغز و آرام بخش مراکز اعضا بوده و برای رفع سوء هاضمه مفید است.2

 2. آمُله (Emblic myrobalan) :

 آمُله در کتب سنتی با نامهای: «آملِج»، «اَملَج» آمده که به هندی «آملا» یا «اونلا» می گویند. نام درخت هندی است که طعم آن مانند آلو گوجه ترش و به بزرگی گردو است.

 آمله برای ازدیاد حافظه، حدت ذهن و تفریح قلب مفید است. اشخاص سردمزاج برای تعدیل سردی آن بهتر است با عسل یا دارچین یا مصطکی بخورند، ولی برای اشخاص گرم مزاج ضرورتی ندارد.

 از نظر ابوعلی سینا، آمله برای رفع نسیان و فراموشی مفید است.3

 3. آویشن شیرازی (Oregano Ovigan Vulgaire) :

 به فارسی «پونه کوهی» و در کتب طب سنتی با نام «فودنج جبلی» نام برده می شود، "شلیمر" این گیاه را با نام «آویشن شیرازی» نام برده است. طبیعت آن طبق نظر حکمای طب سنتی گرم و خشک است.4

 آویشن شیرازی دشمن سموم بدن است و خون را به جریان انداخته، هوش را زیاد و حافظه را تقویت می کند.

 دَم کرده رقیق آویشن را بجای چای، با عسل میل کنید؛ 15 تا 30 گرم آنرا در یک لیتر آب جوش دم کرده، روزی 5 تا 6 فنجان مصرف نمایید.5

 4. اسطو خودوس (Topped Lavender, Self heal) :

 در کتابهای طب سنتی با نامهای«اسطو خودوس»،«شاهسبرم رومی»،«شاه اسبرم»،«آنس الارواح» و «ممسک الارواح» آمده است. در بازار مکه به نام «ضُرم» گفته می شود.6

 اسطو خودوس، مقوی بدن، دل و دماغ و احشا و جمیع قوای ظاهری و باطنی و قوت مذکره و مفکره و مصفای روح و مفرح آن است. اسطو خودوس برای قوت دِماغ نافع است. همچنین برای تزکیه و تصفیه ذهن، خصوصاً با عسل و نیز آشامیدن آن به تنهایی و یا با شربت لیموی تازه مفید است. ضمادّ اسطوخودوس برای شیان و جنون خوب می باشد.7

 دم کرده 50 گرم از برگ و سرشاخه گلدار اسطوخودوس، مقوی بدن و قوای دماغی و تفکر و مقوی احشا و آلات شکم و مفرح است. این دم کرده اخلاط فاسد شده و بلغمی و سوداوی را دفع می کند.

 اگر مقداری از برگ و شاخه های گلدار خشک اسطوخودوس را ساییده و با آب عسل بطور ساده و یا به صورت مربا با شکر و یا عسل تهیه و حدود 5 گرم از آن را هر شب تا مدتی بخورند، برای تقویت ذهن، حافظه، رفع فراموشی، رعشه، سرگیجه، صرع، وسواسهای سوداوی، تشنج، پریدگی ناگهانی بعضی از اعضا و رفع اندوه و غم مفید است.8

 پی نوشتها :

 1. خواص میوه های خوراکی، مرتضی نظری، ص22.

 2. معارف گیاهی،ج2،ص16.

 3. همان،ج6،ص374.

 4. همان،ج2،ص281.

 5. نسخه حکیم، عبادزاده کرمانی،ص22.

 6. معرف گیاهی،ج5،ص216.

 7. قرابادین کبیر،ص67.

 8. معارف گیاهی،ج5،ص217.

پاورپوینت حافظه های جانبی

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : پاورپوینت

نوع فایل :  .ppt ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد اسلاید : 25 اسلاید

 قسمتی از متن .ppt : 

1

بسم الله الرحمن الرحیم

2

حافظه های جانبی

اداره آموزش وپرورش ناحیه یک اراک

تهیه کننده :محبوبه محمدی سرگروه ناحیه یک اراک

حافظه

انواع حافظه:که خود شامل دو گروه :

حافظه اصلی

RAM-ROM-CMOS

2. حافظه جانبی

الف- دیسک های مغناطیسی

ب - دیسک های نوری

ج -حافظه های فلش (flash)

3

حافظه‌های جانبی

الف- دیسک های مغناطیسی

دیسک نرم (floppy disk)

دیسک سخت (Hard disk)

ب - دیسک های نوری

CD

DVD

ج -حافظه های فلش (flash)

د- نوارمغناطیسی (Tape)

ه- دیسک نوری – مغناطیسی

و- کارت پانچ

ز- ام پی 3 پلییر

ح -ام پی 4 پلیر

تحقیق در مورد حافظه ها

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 14 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

:حافظه ها

ROM

حافظه فقط خواندنی یا ROM ،نوعی از حافظه است که میتواند به طور دائمی داده ها را نگاه دارد. زیرا نوشتن در آن غیرممکن است .معمولا به ROM ، حافظه غیرفرار هم گفته می شود زیرا داده های ذخیره شده در RAM حتی با قطع برق کامپیوتر نیز در آن باقی می مانند. ROM به تنهایی یک مکان ایده آل برای قرار دادن دستورالعمل های شروع به کار PC می باشد به عبارت دیگر نرم افزاری می باشد که سیستم راه اندازی می کند.

در واقع ROM را میتوان زیر مجموعه ای RAM کامپیوتر در نظر گرفت. در بعضی از سیستم های شرکت مخابرات شهرستان کرج نوعی از ROM به نام EEPROM (حافظه فقط خواندنی قابل پاک شدن الکتریکی) بکار می برند که شکلی از حافظه Flash می باشد. Flash، یک حافظه کاملا غیرفرار است که قابل نوشتن مجدد می باشد و به کاربر امکان می دهد تا به راحتی ROM را ارتقا دهد.

DRAM

RAM پویا نوعی از حافظه می باشد که در بخش اعظم حافظه اصلی یک PC جدید بکار می رود. مزایای اصلی DRAM اینست که بسیار فشرده است به عبارت دیگر تعداد زیادی بیت در یک تراشه بسیار کوچک جا می دهیم و به دلیل این که ارزان است مامی توانیم مقادیر بزرگی از حافظه را بخریم.

خانه های حافظه موجود در یک DRAM خازن کوچکی هستند که برای نشان دادن یک بیت دارای یک شارژ می باشند. مشکل DRAM ها پویا بودن آنست و به لحاظ نوع طراحی، باید دائما نوسازی (refresh) شود، در غیر اینصورت با از بین رفتن بارها ی الکتریکی در خازن های جداگانه حافظه، داده ها نیز از بین می روند. نوسازی زمانی اتفاق می افتد که کنترل حافظه سیستم یک مکث کوتاه دارد و به همه سطرهای داده ها در حافظه دسترسی پیدا میکند. بسیاری از سیستم ها یک کنترلر حافظه دارند که برای یک میزان نوسازی استاندارد صنعتی 15 میکروثانیه ای تنظیم می شود به عبارت دیگر هر 15 میکرو ثانیه همه سطرهای موجود در حافظه خوانده می شوند داده ها نوسازی شود.

SRAM

نوعی از حافظه است که بسیار سریعتر از انواع DRAM ها می باشد. SRAM علامت اختصاری Static RAM (RAM ایستا) و دلیل نامگذاری حافظه، اینست که مثل DRAM نیازی به میزان نوسازی دوره ای ندارد. SRAM ها بسیار سریعتر از DRAM ها هستند و از این جهت در حافظه نهاتگاه (Cache) استفاده می شوند.

در طراحی SRAM ها یک کلاستر (خوشه) 6 ترانزیستوری را برای هربیت از ذخیره گاه به کار می گیرد.

SDRAM

SDRAM علامت اختصاری Synchronous DRAM ونوعی DRAM است که همزمان با گذرگاه حافظه کارمی کند.SDRAM اطلاعات موجود در حالت پی در پی با سرعت بالا را با استفاده از یک رابطه ساعت دار سریع انتقال می دهد SDRAM بیشتر تاخیرهای موجود در DRAM غیرهمزمان را از بین می برد زیرا سیگنال ها از قبل با ساعت مادربورد همزمان شده اند.

تحقیق درمورد آشنایی با حافظه RAM با فرمتword

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 21

آشنایی با حافظه RAM

 حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای  کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های  SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ). اما داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه های RAM

حافظه  RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول  را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک  یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را به منظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن  یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید. خازن مشابه یک ظرف ( سطل)  بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . به منظور ذخیره سازی مقدار" یک"  در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین به منظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات  خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده  یا " کنترل کننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن به منظور نگهداری مقدار "یک" باشند. بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه  بر روی یک تراشه  سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضعیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد.  تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.