لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 12
سویچینگ و روشهای کاهش آن اثرات مخرب تداخل امواج الکترومغناطیسی در منابع تغذیه
پدیده انتشار امواج الکترو مغناطیسی و منابع تولید آن مبدلهای قدرت سوئیچینگ بدلیل مزیتهای زیادی که دارند، محبوبیت زیادی پیدا کرده اند و به عنوان جزء اصلی هر نوع دستگاهی که نیاز به تغذیه دارد، بکار می روند. اما با وجود این همه مزیت، یک عیب اساسی نیز در این منابع تغذیه سوئیچینگ وجود دارد و آن تولید نویز با فرکانس بالا است که بدلیل کلیدزنی سریع رگولاتورهای مبدل قدرت با توانهای فوق العاده زیاد، بوجود می آید. در بیشتر کاربردها، ضروری است که نویز را در خارج از منبع تغدیه فیلتر کنند و از انتشار آن با استفاده ازپرده های فلزی محافظی که روی دستگاه کشیده می شود، جلوگیری کنند.
منبع تولید امواج الکترومغناطیسی، تغییرات سریع میدانهای الکتریکی یا مغناطیسی است. منابع مهم تولید تداخل امواج الکترومغناطیسی، موتورهای الکتریکی (خصوصاً موتورهای با جاروبک و همچنین تکفاز)، رله ها و کلیدهایی که با سرعت زیاد جریان الکتریکی را قطع و وصل می کنند، می باشند. منابع تغذیه سوئیچینگ نیز بدلیل عملکرد کلیدزنی آنها، یکی از منابع مهم بوجود آورندة تداخل امواج الکترومغناطیسی محسوب می شوند. در این منابع تغذیه سوئیچینگ، امواج الکترومغناطیسی بر اثر کلیدزنی سریع ترانزیستور و قطع و وصل سریع جریان ایجاد می شود. همچنین تلفات کلید زنی در زمان روشن کردن و یا خاموش کردن ترانزیستور ها نیز یکی از دلایل ایجاد امواج الکترومغناطیسی است، که در هوا منتشر شده و از آنجایی که دارای هارمونیک های با فرکانس بالایی هستند، بعنوان امواج الکترومغناطیسی مخرب عمل می کنند و روی سیستمهای مخابراتی اثرات نامطلوب می گذارند.
به همین دلیل منابع تغذیه سوئیچینگ را می بایست توسط جعبه های فلزی پوشاند تا از انتشار امواج الکترومغناطیسی در محیط، توسط منابع تغذیه سوئیچینگ جلوگیری شود. به عنوان نمونه می توان به منابع تغذیه سوئیچینگ در کامپیوترهای شخصی اشاره کرد که در یک جعبة فلزی از آن محافظت می شود، تا بتوان تا حد ممکن از تداخل الکترومغناطیسی توسط منبع تغذیه سوئیچینگ جلوگیری نمود. همچنین در طراحی منابع تغذیه سوئیچینگ تا حد ممکن باید دقت شود که با بکار گرفتن روشهای مناسب، امواج الکترومغناطیسی را که در فضای اطراف منتشر می شود کاهش داد.
برای درک چگونگی ایجاد تداخل امواج الکترومغناطیسی به یک مثال ساده اشاره می کنم.
در مداری متشکل از یک منبع dc، یک کلید و یک مقاومت که بطور سری با هم بسته شده باشند، با باز بودن کلید فقط یک میدان ثابت الکتریکی بین سیم رفت و سیم برگشت ایجاد می شود.
با بستن کلید علاوه بر میدان الکتریکی بین دو سیم، یک میدان حلقوی مغناطیسی ناشی از عبور جریان از درون سیم نیز بوجود می آید.
حال اگر عمل قطع و وصل کلید با سرعت زیاد انجام شود یک موج الکترومغناطیسی که متغیر با زمان نیز می باشد ایجاد می شود و می تواند براحتی در فضای اطراف سیمها منتشر شود. هر چه سرعت کلیدزنی بیشتر باشد، امواج الکترومغناطیسی تولیدی دارای فرکانس بیشتری می شود و براحتی و با انرژی کمتری می تواند در شعاع بیشتری در فضا انتشار یابد. در یک مدار سادة منبع تغذیه سوئیچینگ نیز با قطع و وصل جریان، یک مولد امواج الکترومغناطیسی است.
در بین پیوند کلکتور- امیتر ترانزیستور، بر اثر قطع و وصل شدن با سرعت زیاد، میزان خیلی زیاد dv/dt وجود دارد که ناشی از شیب خط منحنی ولتاژ در زمان قطع و وصل است. و نیز در خازن di/dt زیادی وجود دارد که آن هم ناشی از شیب خط منحنی جریان در زمان قطع و وصل است. که این مقادیر بالای dv/dt و di/dt می توانند یک موج الکترومغناطیسی شدید را با توان بالا تولید کند.
منبع ایجاد نویز دیگر در منابع تغذیه سوئیچینگ، سیستم یکسوسازی آن می باشد. از آنجایی که یکسوسازها موج ورودی را بصورت گسسته قطع و وصل می کنند، دارای مقدار di/dt زیادی می باشند.
امواج الکترومغناطیسی می توانند توسط هدایت کننده های الکتریکی در فضا منتشر می شوند. کوپلاژهای الکتریکی که توسط خازن، سلف و یا ترانسفورماتور ایجاد می شوند نیز می توانند از طریق فاصلة هوایی، امواج الکترومغناطیسی را در فضای اطراف منتشر کنند.
امواج الکترومغناطیسی که در فضا منتشر می شوند عبارتند از:
-۱. نویز منتشر شده از اتصال خروجی سیستم ایزولاسیون به بار.
-۲. نویز منتشر شده از اتصال ورودی قدرت به سیستم ایزولاسیون.
-۳ امواج الکترومغناطیسی منتشر شده از فاصلة هوایی در فضا.
-۴. ایزولاسیون منبع قدرت اولیه و بار باعث می شود نویز ورودی به خروجی انتقال یابد و بالعکس.
اثرات مخرب پدیدة تداخل امواج الکترومغناطیسی در منابع تغذیة سویچینگ و روشهای کاهش آن
مسأله تداخل الکترومغناطیسی یا EMI در سیستمهای خطی در طیف فرکانسی کوچکتر از 20KHz در منابع تغذیه سوئیچینگ قابل چشم پوشی می باشد. اما با بالا رفتن فرکانس، هارمونیکهای با فرکانس بیشتر از فرکانس اصلی، ایجاد تداخل در باندهای رادیویی و مخابراتی می کنند. از آنجایی که منابع تغذیة سوئیچینگ امروزه در توانهای بالا هم کاربرد های وسیع پیدا کرده اند، این گونه از منابع تغذیه سوئیچینگ به عنوان یک منبع تولید نویز شدید و قوی برای مدارات مخابراتی شناخته می شوند. بنابراین با روشهایی مانند فیلتر کردن ورودی و خروجی و … باید میزان اثر تداخل الکترومغناطیسی را تا حد امکان کاهش داد.
2- پدیده انتشار امواج الکترو مغناطیسی و منابع تولید آن
مبدلهای قدرت سوئیچینگ بدلیل مزیت¬های زیادی که دارند، محبوبیت زیادی پیدا کرده اند و به عنوان جزء اصلی هر نوع دستگاهی که نیاز به تغذیه دارد، بکار می روند. اما با وجود این همه مزیت، یک عیب اساسی نیز در این منابع تغذیه سوئیچینگ وجود دارد و آن تولید نویز با فرکانس بالا است که بدلیل کلیدزنی سریع رگولاتورهای مبدل قدرت با توانهای فوق العاده زیاد، بوجود می آید. در بیشتر کاربردها، ضروری است که نویز را در خارج از منبع تغدیه فیلتر کنند و از انتشار آن با استفاده ازپرده های فلزی محافظی که روی دستگاه کشیده می شود، جلوگیری کنند.
منبع تولید امواج الکترومغناطیسی، تغییرات سریع میدانهای الکتریکی یا مغناطیسی است. منابع مهم تولید تداخل امواج الکترومغناطیسی، موتورهای الکتریکی (خصوصاً موتورهای با جاروبک و همچنین تکفاز)، رله ها و کلید¬هایی که با سرعت زیاد جریان الکتریکی را قطع و وصل می کنند، می باشند. منابع تغذیه سوئیچینگ نیز بدلیل عملکرد کلیدزنی آنها، یکی از منابع مهم بوجود آورندة تداخل امواج الکترومغناطیسی محسوب می شوند. در این منابع تغذیه سوئیچینگ، امواج الکترومغناطیسی بر اثر کلیدزنی سریع ترانزیستور و قطع و وصل سریع جریان ایجاد می شود. همچنین تلفات کلید زنی در زمان روشن کردن و یا خاموش کردن ترانزیستور ها نیز یکی از دلایل ایجاد امواج الکترومغناطیسی است، که در هوا منتشر شده و از آنجایی که دارای هارمونیک¬های با فرکانس بالایی هستند، بعنوان امواج الکترومغناطیسی مخرب عمل می کنند و روی سیستمهای مخابراتی اثرات نامطلوب می گذارند.
به همین دلیل منابع تغذیه سوئیچینگ را می بایست توسط جعبه های فلزی پوشاند تا از انتشار امواج الکترومغناطیسی در محیط، توسط منابع تغذیه سوئیچینگ جلوگیری شود. به عنوان نمونه
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 64
سازگاری و تداخل الکترو مغناطیسی
مقدمه 1
سازگاری و تداخل الکترومغناطیسی 3
منابع تداخلی طبیعی و منابع تداخلی ساخت بشر 4
منابع تداخلی پیوسته و گذرا 8
تداخل درون سیستم و تداخل بین سیستمها 9
منابع تداخل هدایتی و تشعشعی 11
فصل دوم :
مقدمه 14
تشعشع مود تفاضلی 14
کنترل تشعشع مود – تفاضلی 21
تشعشع مود – مشترک 23
کنترل تشعشع مود – مشترک 26
تولید کلاک طیف گسترده 27
ضرورت استفاده از کلاک طیف گسترده 28
مدولاسیون فرکانس روی کلاک سیستم 29
فصل سوم : شیلدینگ
مقدمه 33
شیلدینگ خازنی 33
شیلدینگ القایی 36
کابل کواکسیال 37
جفت سیم به هم تابیده 39
کابل روبان 40
شیلدینگ RF 41
فصل چهارم : زمین
مقدمه 46
نویز زمین 47
انتخاب زمین 49
زمین اطمینان 50
زمین سیگنال 51
زمین عملی 54
کابل بافته شده 56
ملاحظات انتخاب زمین 57
فصل پنجم : دی کوپلینگ
بی ثباتی تغذیه 59
خازن دی کوپلینگ 61
نوع خازن دی کوئپلینگ و مقدار آن 63
تثبیت ولتاژ روی برد 65
دی کوپلینگ باس تغذیه بر روی بردهای چند لایه 66
مقدمه :
تصوری که بیشتر افراد از سیستم های دیجیتالی دارند این است که این سیستمها در برابر نویز مصونیت ایده آل دارند .
گرچه این نوع از سیستمها به خاطر حاشیه نویز ، در مقایسه با مدارهای آنالوگ حساسیت کمتری نسبت به نویز دارند ، با این حال اثرات نویز الکتریکی را نمی توان نادیده گرفت .
پرشهای خطوط سیگنال ، اتصالات زمین ، سوئیچهای تغذیه ، موتورها ، لامپهای فلورسنت و … سبب آشفتگی در کار مدارهای دیجیتالی می شوند . در فاز طراحی سیستمهای دیجیتالی با مسایل مربوط به نویز مواجه نمی شویم . پس از اینکه سیستم در محیط کار قرار گرفت اصرات نویز نمود پیدا می کند که در آن موقع تغییر و اصلاح طرح سخت افزار پر هزینه است .0000 000
هدف از ارائه این سمینار برررسی بعضی از نویزهای الکتریکی و محیطهای نویزی می باشد . پس از آن راه حلهای مناسبی برای جلوگیری از ایجاد نویز توسط مدارهای دیجیتالی و همچنین کاهش اثرپذیری نویزی پیشنهاد می شود .
ترتیب مباحث این گزارش بدین صورت است که : در فصل اول مفاهیم سازگاری و تداخل الکترومغناطیسی توضیح داده می شود . فصل دوم اختصاص به تشعشع در مدارهای دیجیتالی و راههای کنترل آن دارد . فصل سوم شیلدینگ ، فصل چهارم مربوط به نویز زمین و روشهای حذف آن بحث می شود. در فصل پنچم دی کوپلینگ توضیح داده می شود . امیدوارم که این گزارش مورد استفاده دانشجویان محترم و سایر علاقمندان قرار بگیرد .
سازگاری و تداخل الکترو مغناطیسی :
مقدمه :
هر دستگاه الکتریکی یا الکترونیکی که موجب تغییر ولتاژ یا جریان شود یک منبع تداخل الکترومعناطیسی محسوب می شود .
تداخل از دو راه به مدار اعمال می شود ، هدایت از طریق کابل و تشعشع الکترومعناطیسی . در این فصل منابع EMI و مفاهیم تکنیکی سازگاری الکترومعناطیسی مورد بحث قرار می گیرد .
2-1 سازگاری و تداخل الکترومغناطیسی :
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : پاورپوینت
نوع فایل : .ppt ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد اسلاید : 15 اسلاید
قسمتی از متن .ppt :
تداخل های دارویی در بیماران قلبی
7/9/2017
1
به نام خدا
تداخلات دارویی با دیگوکسین
کینیدین (افزایش غلظت دیگوکسین تا 2 برابر)
بدلیل وجود شواهد از میزان مرگ و میر بالا استفاده این دو صورت نمی گیرد
وراپامیل افزایش غلظت دیگوکسین
بتابلوکرها، نیفدیپین، دیلتیازم
تجویز آنها با دیگوکسین نیاز به تنظیم دوز ندارد
7/9/2017
2
تداخلات دارویی با دیگوکسین
آمیودارون یا پروپافنون
سبب افزایش غلظت سرمی دیگوکسین می شوند
بیماران هیپوکالمی به در مقایسه با سایر بیماران به اثرات دیگوکسین حساس ترند (اندازه گیری مداوم غلظت پتاسیم سرم در صورت مصرف دیورتیک های تیازیدی)
در صورت مصرف توام با دیورتیک های نگهدارنده پتاسیم دوز دیگوکسین باید کاهش یابد
7/9/2017
3
نکته
در شرایط هیپوکالمی، هیپومنیزیمی و هیپرکلسمی اثرات آریتمی زایی دیگوکسین افزایش می یابد
نظیر تجویز توام با دیورتیک های تیازیدی و قوس هنله در نارسایی قلبی
در مسمومیت حاد با دیگوکسین هیپرکالمی ایجاد می شود و نباید مکمل های پتاسیمی تجویز گردد
7/9/2017
4